MJW21193G中文资料
MJW21193G图片
- 大小：98.6KB
- 厂家：ON Semiconductor
- 描述： TRANSISTOR BIPOLAR; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:30A; DC Current Gain hFE:20; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:250V; Current Ic Continuous a Max:16A; Gain Bandwidth ft Typ:4MHz; Hfe Min:20; Package / Case:3-TO-247; Power Dissipation Pd:200mW; Transistor Type:
- 标准包装：30
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：16A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：250V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：4V @ 3.2A，16A
- 电流 - 集电极截止（最大）：100µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：20 @ 8A，5V
- 功率 - 最大：200W
- 频率 - 转换：4MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247
- 包装：管件
- 其它名称：MJW21193GOS
MJW21193G供应商
更新时间:2023-01-08 09:40:04- 供应商
- 产品型号
- 服务标识
- 数量
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- 封装/批号
- 说明
- 询价
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