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MJW21193G中文资料

MJW21193G图片

MJW21193G外观图

  • 大小:98.6KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR BIPOLAR; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:30A; DC Current Gain hFE:20; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:250V; Current Ic Continuous a Max:16A; Gain Bandwidth ft Typ:4MHz; Hfe Min:20; Package / Case:3-TO-247; Power Dissipation Pd:200mW; Transistor Type:
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):16A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):250V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):4V @ 3.2A,16A
  • 电流 - 集电极截止(最大):100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 8A,5V
  • 功率 - 最大:200W
  • 频率 - 转换:4MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商设备封装:TO-247
  • 包装:管件
  • 其它名称:MJW21193GOS

MJW21193G供应商

更新时间:2023-01-08 09:40:04
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